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特点

• 工作电压 2.4-5.5V

• 待机电流7uA/3.0V,14uA/5V

• 上电复位功能（POR）

• 低压复位功能（LVR）

• 触摸输出响应时间：

工作模式 48mS

待机模式160mS

• CMOS输出，低电平有效，支持多键

• 有效键最长输出16S

• 无触摸4S自动校准

• 专用脚接对地电容调节灵敏度(1-47nF）

• 各触摸通道单独接对地小电容微调灵敏度（0-50pF）.

• 上电0.25S内为稳定时间，禁止触摸.

• 封装

DFN10L(3.0mm x 3.0mm PP=0,5mm)

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VK36Q4

4通道触摸 1对1输出低电平有效

联系人：许先生 TEL：18898582398 QQ：191 888 5898 E-mail：xs-chip@szvinka.com

VK36Q4具有4个触摸按键，可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有较

高的集成度，仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。

提供了4路直接输出功能。芯片内部采用特殊的集成电路，具有高电源电压抑制比，可

减少按键检测错误的发生，此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。

此触摸芯片具有自动校准功能，低待机电流，抗电压波动等特性，为各种触摸按键+IO

输出的应用提供了一种简单而又有效的实现方法。

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1 概述

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4通道触摸 1对1输出低电平有效

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2 管脚定义

2.1 VK36Q4 DFN10L管脚图

Top View

VK36Q4

4通道触摸 1对1输出低电平有效

VSS

DFN10L

TP0

TP1

1

2

TP2 3

TP3 4

CS 5

10 Q0

9 Q1

8 Q2

7 Q3

6 VDD

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2.2 VK36Q4 DFN16L管脚列表

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脚位

1

管脚名称 输入/输出 功能描述

2

TP0 输入 触摸输入，接对地小电容微调灵敏度（1-50pf），不接最灵敏

3

TP1 输入 触摸输入，接对地小电容微调灵敏度（1-50pf），不接最灵敏

4

TP2 输入 触摸输入，接对地小电容微调灵敏度（1-50pf），不接最灵敏

5 CS 输入 灵敏度调节，接对地电容(1-47nF)

6 VDD 电源正 电源正

7 输出

8 Q2 输出

9

触摸输出，低有效

触摸输出，低有效

Q3

TP3 输入 触摸输入，接对地小电容微调灵敏度（1-50pf），不接最灵敏

10 Q0 输出

0 VSS 电源负 电源负

触摸输出，低有效

Q1 输出 触摸输出，低有效

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3 功能说明

3.1 功能框图

TP0

TP1

TP2

输出控制

触摸

检测

CS 电容

采样

系统震荡器

时序控制

触摸

信号处理

Q0

Q1

Q2

VDD

VSS

上电后4S内每隔64mS刷新1次参考值。有触摸不刷新，无触摸4S后每隔1S刷新1次参考值。

3.2 自动校准

VK36Q4输出为 CMOS 直接输出(Q0~Q3），低电平有效，支持多键输出。

长按16S芯片复位，输出恢复上电状态。

3.3 输出模式

Q

P

N

电源管理

POR/LVR

Q3

TP3

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Touch

TPx

Qx

~128ms ~16ms

触摸 ~128ms ~16ms

触摸 离开

约4 秒 ~128ms

Qx 输出

离开

3.5 灵敏度调整

VK36Q4的灵敏度和触摸PAD大小，外壳厚度，灵敏度电容大小等都有关系，要根据产品的

实际应用来调整灵敏度。可以从以下4个方面来调整灵敏度：

I. 触摸PAD的面积

其它条件不变，触摸面积越大越灵敏，但面积必需在有效面积内。

II. 外壳的厚度

其它条件不变，外壳越薄灵敏度越高，外壳越厚灵敏度越低，但厚度不能超过限制最大值。

III.调整CS脚对地电容值

CS调整整体灵敏度，越大越灵敏，常用值1-47nF,一些特殊应用也有超过200nF的。

IV.调整触摸脚对地小电容

触摸脚对地小电容微调灵敏度，越大灵敏度越低，不接电容最灵敏，常用值1-50pF,

3.4 工作模式

VK36Q4芯片具有两种工作模式，待机模式和正常模式。键被触摸，切换到正常模式。无键

触摸4S自动进入待机模式以减少功耗。VDD=5V 时Qx 输出响应在待机模式约160 毫秒，在工作模

式约 48 毫秒。

外壳厚度 （亚克力或玻璃） CS电值（仅供参考）

小于3mm 6.8nF/25V

3-6mm 10nF/25V

6-10mm 22nF/25V

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4 参考电路

1K

1K

C0

C3

R0

R3

VDD

VDD

10uF

Q0

Touch Key TP0

VSS

Touch Key TP3

Q3

CS

10nF

0.1uF

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特 性 符 号 极 限 值 单 位

电源电压 VDD -0.3～6.0 V

输入电压 VIN VSS-0.3～VDD+0.3 V

存贮温度 TSTG -50～+125 ℃

工作温度 TOTG -40～+85 ℃

5.2 直流参数

名称 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件（25 ℃）

VDD 条件

工作电压 VDD 2.4 3.0 5.5 V — —

工作电流 IOP

— 20 40

A

3.0V

CS=10nF

— 30 60 5.0V

IST

— 7 14

A

3.0V

待机电流 — 14 28 5.0V

输出灌电流 IIL

3.0V

VOL=0.5V 5.0V

输出源电流 IOL

3.0V VOH=2.8V

5.0V VOH=4.5V

VIL — — 0.2 VDD VDD 输入低电压

VIH 0.8 — 1 VDD 输入高电压

输出响应时间 TR

— 45 — mS

3.0V 工作模式

— 48 — 5.0V 工作模式

— 150 — mS

3.0V 待机模式

— 160 — 5.0V 待机模式

5 电气特性

5.1 极限参数

静电(HBM) ESD ≧4 KV

CS=10nF

—

—

—

—

10

14

-6

-9

mA

mA

输入低电压

输入高电压 VDD

—

—

—

—

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6 封装信息

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6.1 D FN10L(3.0mm x3. 0mm PP=0.5mm)：

SYMBOL

MILLIMETER

MIN NOM MAX

b

A 0.8

A1 0.00 0.05

3.00

2.20 2.30 2.35

0.30 0.60

0.70 0.75

0.02

D

E

D2

E2

e

L

K

0.18 0.25 0.30

3.00

0.50BSC

0.4

0.2 ---

---

--- ---

---

1.55 1.65 1.70

---

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No. 版本 日期 修订内容

1 1.0 2018-08-10 原始版本

2 1.1 2020-02-11 更新内容

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Yes

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员联系。

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7 历史版本

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